本发明提供一种半导体元件及其制造方法。从基板101的主面的法线方向看，半导体元件100包括单位单元区域100ul及位于单位单元区域与半导体元件的端部之间的末端区域100f，末端区域100f在第1碳化硅半导体层102具有配置为与漂移区域102d相接的第2导电型的环区域103f，环区域包括：与第1碳化硅半导体层的表面相接的高浓度环区域103af、及以比高浓度环区域低的浓度包含第2导电型的杂质且在底面与第1碳化硅半导体层相接的低浓度环区域103bf，高浓度环区域103af的侧面与漂移区域102d相接，从半导体基板主面的法线方向看，高浓度环区域与低浓度环区域具有相同的轮廓。
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