本发明公开了一种基于电容辅助触发的双向可控硅器件，包括P衬底层；P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱；第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区；第二N阱上设有第三N+有源注入区、第二P+有源注入区和第四N+有源注入区；第三N+有源注入区连接有第一电容，第一电容的另一端与第一金属电极相连；第二N+有源注入区连接有第二电容，第二电容的另一端与第二金属电极相连。本发明可控硅器件利用电容作为辅助触发单元，使得器件具有可调且较低的正反向击穿电压，使得器件可适用于深亚微米工艺下的片上ESD防护，尤其可适用于一些混合电压接口电路或者不同电源域间的ESD防护应用。
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