本发明公开了一种多晶硅片的钝化处理方法，具有如下步骤：a、将多晶硅片背面抛光；b、将多晶硅片背面用化学试剂清洗后，淋干水滴；c、低温处理，在80～90℃的温度下将硅片烘干，烘干时间为一小时；d、使用PECVD法对多晶硅片进行等离子氧化铝薄膜的沉积，沉积后在硅片表面形成小于2nm厚度的SiO2薄膜层；e、热处理，将沉积后的多晶硅片在400℃温度下进行退火处理；f、测试，对多晶硅片进行稳定状态下的少子寿命测试。本发明通过硅片的前期湿-热处理，在硅片表面形成了一个极薄的SiO2薄膜，且这层薄膜中富含水汽所带来的羟基，为与氧化铝中的氧原子的结合提供了很好的化学结构基础，有效地提升了硅片钝化效果及稳定性。
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