本发明涉及一种化学机械研磨中的清洗系统的清洗方法，包括：第一步骤，使两片晶片在清洗室中相隔规定的距离竖直放置，并排排列；第二步骤，使位于并排排列的两片晶片两侧的两个喷雾装置的喷头移动至与所述两片晶片相对应的位置，喷出雾状的清洗剂，对各个晶片的正面和背面中的一个面进行清洗；第三步骤，在对各个晶片中的一个面进行清洗之后，交换两片晶片的位置，使没有被清洗的另一个面与所述喷雾装置的喷头相对应；第四步骤，在交换了两片晶片的位置之后，使喷雾装置的喷头喷出雾状的清洗剂，对各个晶片的正面和背面中的另一个面进行清洗。
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