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磁电效应传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料及方法(发明专利)

  • 专利类型:发明专利
  • 商品列表:本发明是关于磁电效应传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料及方法。其中磁电效应传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料的组成成分及各成分的重量百分含量为:Fe3~6%,Si7~16%,B2~15%,Ni2%,Nb1%,Ga0.5~2%,稀土金属300ppm~0.2%,余量为Co;该磁电效应传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料是采用真空熔炼及高速旋淬急冷完成,制备的合金薄带经无磁场的电阻炉中加倾斜磁场退火
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本发明是关于磁电效应传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料及方法。其中磁电效应传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料的组成成分及各成分的重量百分含量为:Fe3~6%,Si7~16%,B2~15%,Ni2%,Nb1%,Ga0.5~2%,稀土金属300ppm~0.2%,余量为Co;该磁电效应传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料是采用真空熔炼及高速旋淬急冷完成,制备的合金薄带经无磁场的电阻炉中加倾斜磁场退火以优化其软磁性能,本工艺方法制备的高磁导率非晶软磁合金薄带在磁电效应传感器使用,具有性能稳定,检测精度提高,重复性好等优点。

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