本发明涉及一种利用集成pn结测量多芯片埋置型高密度封装芯片接面温度的方法，其特征在于在芯片接面即衬底上的埋置槽中分别掺杂磷和硼，利用pn结的导通电压随温度变化的特性来测量芯片接面温度。根据需要选择并控制掺杂剂量和结深。先在衬底上埋置槽内光刻出p型掺杂区并掺杂硼，然后再光刻形成n+掺杂区并掺杂磷，然后淀积金属，光刻腐蚀形成引线焊盘和金属布线。通过控制掺杂剂量和结深调节线性测温范围；通过pn结阵列可以实时获取芯片接面温度和热分布情况。本发明采用了喷胶光刻工艺来形成从埋置槽底部向硅圆片表面的爬坡引线。该工艺采用了光刻等于微电子工艺相兼容的工艺，工艺步骤简单，工艺周期较短。
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