一种静态随机存储器的制造方法，所述静态随机存储器同时包含NMOS器件和PMOS器件，本发明通过在PMOS器件源漏轻掺杂离子注入之后湿法清洗静态随机存储器中NMOS器件和PMOS器件的侧壁间隙壁，使得湿法清洗之后形成的NMOS器件源漏轻掺杂区之间的距离减小，改善NMOS器件的电性，使之与静态随机存储器中PMOS器件电性相匹配，提高了所制造静态随机存储器的良品率。
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