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双镶嵌结构形成方法(发明专利)

  • 专利类型:发明专利
  • 商品列表:本发明提供了一种双镶嵌结构形成方法,包括步骤:提供半导体结构和压印屏蔽,半导体结构包括互连层、位于互连层上的介质层,位于介质层上的牺牲层;对所述半导体结构上的牺牲层进行加热,使得所述牺牲层软化;利用所述压印屏蔽对所述半导体结构上的牺牲层进行冲压,使得所述半导体结构上的凸起嵌入所述牺牲层内;对半导体结构上的牺牲层进行冷却,使得所述牺牲层硬化;将所述压印屏蔽取出,从而在所述半导体结构的牺牲层上形成双镶
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本发明提供了一种双镶嵌结构形成方法,包括步骤:提供半导体结构和压印屏蔽,半导体结构包括互连层、位于互连层上的介质层,位于介质层上的牺牲层;对所述半导体结构上的牺牲层进行加热,使得所述牺牲层软化;利用所述压印屏蔽对所述半导体结构上的牺牲层进行冲压,使得所述半导体结构上的凸起嵌入所述牺牲层内;对半导体结构上的牺牲层进行冷却,使得所述牺牲层硬化;将所述压印屏蔽取出,从而在所述半导体结构的牺牲层上形成双镶嵌结构;对具有双镶嵌结构的半导体结构进行刻蚀,使得在介质层中形成双镶嵌结构,并且所述双镶嵌结构中的通孔底部暴露互连层。从而减少了对基底造成的损伤,提高了器件可靠性。

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