专利转让--姓名:测试--专利号:CN200480026812.8--申请人:日矿金属株式会社 --价格:--其他要求:一种高纯度Ni-V合金或由该Ni-V合金形成的靶或该Ni-V合金薄膜，其特征在于，除去Ni、V以及气体成分的Ni-V合金的纯度为99重量%以上，并且V含量的、铸块之间或靶之间或薄膜之间的偏差在0.4%以内。提供一种具有99.9重量%以上纯度的高纯度Ni-V合金、由该Ni-V合金形成的靶以及该Ni-V合金薄膜和能够有效地减少下述杂质的高纯度Ni-V合金的制造方法，所述Ni-V合金，使铸块之间或靶之间或薄膜之间的偏差少，提高蚀刻性，并且使放射对半导体装置中的微型电路产生不良影响的α粒子的U、Th等同位素元素严格地减少。
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