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专利转让页面出售专利--姓名:刘小龙--专利号:CN201510319461.X--申请人:北京东方百泰生物科技有限公司 --其他要求:技术领域 本发明涉及一种电源负载测试装置，尤其涉及一种用于电脑VRM的电源负载测试 装置。 背景技术 电脑的电压调节模块(VoltageRegulatorModule，VRM)在实际使用中，其所带的 负载一般是动态负载，即，VRM的负载是随时变化的，相应地，VRM的输出电流也随负载的变 化而呈动态变化。例如，电脑在进入某些游戏程序时，VRM所带的负载会明显增大，相应地 VRM的输出电流也明显增大。 在对VRM进行动态测试时，一般在VRM的输出端连接一个电子负载，所述电子负载 通过模拟实际使用情况改变VRM的输出电流实现对VRM的动态负载测试。VRM进行动态测试 时，其在电子负载的作用下，输出电流的波形一般可简化为图1所示的方波波形，VRM的输出 电流从0上升到I1的上升时间为t1，其中，输出电流的斜率，即电子负载的拉载斜率为：I1与 上升时间t1的比值。根据负载的不同，VRM的拉载斜率也不同，有时，VRM需要较大的拉载斜 率来驱动负载。 目前的电子负载的拉载斜率一般在1A\/μs左右，并且是固定的，无法满足某些VRM 对较大拉载斜率的需求。 发明内容 针对上述问题，有必要提供一种可提供较大拉载斜率的电源负载测试装置。 一种电源负载测试装置，用于对一被测电源进行动态负载测试，包括依次电性连 接的主控制器、函数发生器、拉载电路以、电流检测电路及连接至主控制器从而控制拉载电 路及电流检测电路工作状态的使能电路；所述拉载电路用于根据所述方波信号动态地改变 所述被测电源的输出电流，包括电压跟随器、第一金属氧化物半导体场效应晶体管、负载电 阻，所述电压跟随器的同相输入端电性连接至所述函数发生器的输出端，用于接收所述方 波信号，所述电压跟随器的输出端电性连接至所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的 栅极，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极电性连接至所述被测电源的输出 端，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的源极通过所述负载电阻接地，且所述第一 金属氧化物半导体场效应晶体管的源极与所述负载电阻之间的节点电性连接至所述电压 跟随器的反相输入端；所述电流检测电路还电性连接至所述主控制器，其包括运算放大器， 所述运算放大器的的同相输入端电性连接至所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的 源极与所述负载电阻之间的节点，所述运算放大器的反相输入端电性连接至所述负载电阻 与地之间的节点，所述运算放大器的输出端电性连接至主控制器，所述运算放大器用于将 所述负载电阻上流过的所述输出电流放大后转换成相应的电压信号输出至所述主控制器， 所述主控制器根据该电压信号相应计算出所述输出电流，从而根据所述输出电流的变化判 断出所述输出电流的斜率，所述电流检测电路用于配合所述主控制器检测所述输出电流的 斜率，所述主控制器用于将检测到的所述输出电流的斜率与一预设斜率值进行比较，并根 据比较结果相应控制所述函数发生器调整所述方波信号，直到所述输出电流的斜率与所述 预设斜率值相等；所述电压跟随器及运算放大器均包括控制端，所述使能电路包括第二金 属氧化物半导体场效应晶体管、第三电源以及第二限流电阻，所述第二金属氧化物半导体 场效应晶体管的栅极电性连接至所述主控制器，源极接地，漏极通过所述第二限流电阻电 性连接至所述第三电源；所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述第二限流 电阻之间的节点还电性连接至所述电压跟随器的控制端和\/或所述运算放大器的控制端， 所述主控制器通过控制所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的导通或截止，以改变所 述电压跟随器的控制端和\/或所述运算放大器的控制端的电平状态，从而控制所述电压跟 随器和\/或所述运算放大器开始工作或停止工作。 本发明中电源负载测试装置通过主控制器控制函数发生器对方波信号的波形进 行调节，从而可通过拉载电路相应调节该电源负载测试装置的拉载斜率，从而可根据需要 获得较大的拉载斜率。此外，根据键盘电路输入的不同的预设斜率值，所述电源负载测试装 置还可相应得到不同的拉载斜率，因此，具有较好的通用性。