出售专利--姓名:王玉超--专利号:CN201410037862.1--申请人:中山大学 --其他要求:本发明属于纳米材料外延技术领域，具体公开一种提高异质外延层晶体质量的方法。本发明在衬底上先外延生长Mg/MgO复合缓冲层，充当晶格失配较大的衬底与ZnO外延薄膜中间的过渡缓冲角色，因而可以极大提高异质外延层晶体质量，同时在衬底的选择上范围更广了，特别是可以使用较为廉价的外延衬底，使得外延成本大大地降低。本发明所述提高异质外延层晶体质量的方法制得的ZnO或MgZnO外延层晶体材料包括廉价衬底、生长于衬底上的由金属镁Mg和氧化镁MgO组合成的Mg/MgO复合缓冲层、生长于复合缓冲层上的渐变ZnO缓冲层、高温生长的ZnO外延薄膜层或低温生长的MgZnO外延薄膜层。
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