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[发明专利]一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法
所属区域：中国内地专利类型：发明专利交易方式： 完全转让本发明涉及一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法，其特征在于以具有高导电氮化物单元核高介电绝缘层结构壳的核壳结构复合粉体代替传统晶界层电容器的材料单元，采用SPS烧结工艺制备高介电、低损耗的仿晶界层电容器。所述的仿晶界层电容器材料包括SrTiO价格：面议
