专利交易
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[发明专利]一种微米级细颗粒金刚石合成工艺
所属区域：中国内地专利类型：发明专利交易方式： 完全转让本发明涉及金刚石的合成领域，涉及一种微米级细颗粒金刚石合成工艺，以石墨粉与Fe基合金触媒粉末按重量比8：5-7混合后经等静压、真空处理后在四柱压机内压制成型，然后将芯柱放入金刚石合成块中，并将金刚石合成块放入六面顶压机中进行合成，实际合成压力为6.1-6.6GPa，合成温度为1000-1100℃，实际合成压力与合成温度分别采用控制压力曲线及功率曲线完成。本发明合成的微米级细颗粒金刚石具有成核量大、价格：面议 -
[发明专利]检测晶片表面形貌的方法
所属区域：中国内地专利类型：发明专利交易方式： 完全转让本发明提供了一种检测晶片表面形貌的方法，包括：选取包括具有相同的全部相对表面形貌的多个管芯的晶片；选取第一管芯，使检测点阵列的中心位置对准第一管芯的中心位置，通过检测第一管芯的第一绝对表面形貌确定其第一相对表面形貌；选取第二管芯，使检测点阵列的中心位置偏离第二管芯的中心位置，通过检测第二管芯的第二绝对表面形貌确定其第二相对表面形貌；合并第一相对表面形貌和第二相对表面形貌确定管芯的全部相对表面形貌；价格：面议 -
[发明专利]处理碳化硅衬底改善外延沉积的方法与形成的结构和器件
所属区域：中国内地专利类型：发明专利交易方式： 完全转让本发明公开了处理碳化硅衬底改善外延沉积的方法与形成的结构和器件。电子器件，包括：碳化硅衬底，具有第一和第二表面，并且具有预定的导电类型以及掺杂浓度；注入掺杂原子区，从所述第一表面延伸进入所述碳化硅衬底至预定距离，所述区域的掺杂浓度比所述衬底剩余部分的掺杂浓度高；以及位于所述导电碳化硅衬底的第一表面上的导电缓冲区；位于所述导电缓冲区上的有源区；位于所述有源区上的第一电接触；以及位于所述碳化硅衬底的第价格：面议 -
[发明专利]光学数据存储方法
所属区域：中国内地专利类型：发明专利交易方式： 完全转让本发明提供了组合物、光学数据存储介质和使用所述光学数据存储的方法。所述组合物包含非线性敏化剂，所述非线性敏化剂包含一种或多种能吸收光化辐射而导致向反应物的上能级三线态能量传递的铂乙炔基络合物，其中所述反应物在三线态激发时将发生光化学变化。价格：面议 -
[发明专利]一种ACK/NACK信息的反馈、处理方法及设备
所属区域：中国内地专利类型：发明专利交易方式： 完全转让本发明公开了一种ACKNACK信息的反馈、处理方法及设备，包括：中继节点接收基站发送的传输块；中继节点根据传输块的接收正确与否确定需向基站反馈的ACKNACK信息；中继节点通过上行控制信道向基站发送ACKNACK信息。本发明在目前的LTE-A系统中提供了在中继节点接收到基站发送的数据后，解决中继节点向基站反馈ACKNACK信息的技术方案。价格：面议
