分离由掺杂浓度和少数载流子寿命分别对半导体材料产生的光致发光PL的影响的方法。在一个实施方式中本底掺杂浓度以其他技术被测量，使得PL测量结果根据有效少数载流子寿命被分析。在另一个实施方式中有效寿命以其他技术被测量，使得PL测量结果根据本底掺杂浓度被分析。在又一个实施方式中，通过计算两次PL测量结果的强度比本底掺杂浓度的影响被消除，所述PL测量结果是在不同的光谱范围下被获得，或者在不同的激发波长下被产生。本方法特别适用与诸如硅块或硅锭的体样品，其中相比于薄的、表面受限的样品如硅晶片，信息可以在很大的体寿命值范围内被获得。本方法还可应用于太阳电池的生产中以改善硅块和硅锭的制造，以及为晶片提供切割导引。
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